什麼是igbt模塊

IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，是絕緣柵雙極型晶體管，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小，IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。